此前，三星电子和 SK Hynix 去年生产了第一批 128 层 NAND 闪存产品，一旦 YMTC 按计划生产 128 层产品，韩国和中国公司之间的技术差距可能会小于两年。

在 2015 年中国政府就宣布，中国将在 10 年内实现半导体行业的自给自足。为此，中国的投资额已达一万亿元人民币，并且还在继续努力。三星电子和 SK 海力士担心中国大力投资半导体行业的这一举动，让其市场份额和销售下降。

清华紫光集团正在将其业务扩展到移动应用处理器。该公司于 2013 年收购了展讯和 RDA Microelectronics，以增强其系统芯片设计能力。清华紫光集团的 IC 设计公司 Unisoc 计划通过台积电生产 6 纳米 5G 调制解调器和应用处理器。

Unisoc 是应用处理器行业新锐，它的 6 纳米应用处理器设计需要基于多方支持才能落地，因为目前只有少数公司，例如高通，三星电子，苹果和华为，能够完成相应设计。

负责清华紫光集团 NAND 闪存业务的 YMTC，其总部和制造工厂位于武汉，在武汉封城的两个月里，YMTC 照常运转着工厂，没有中国政府的协助，这是不可能的。

三星电子和 SK Hynix 在 2019 年第四季度分别占全球 NAND 闪存市场的 35.5％和 9.6％。在此期间，中国几乎占据了全球半导体需求的一半。去年，这两家韩国公司在中国的销售额分别为 380,405 亿韩元和 125,702 亿韩元。SK 海力士在中国的销售额占该公司总销售额的比例为 46％。在全球 NAND 闪存市场中，包括 YMTC 在内的中国公司可能会做出积极努力，赶上韩国公司，因为该市场的进入门槛相对低于 DRAM 市场。此外，美光科技即将生产 128 层 3D NAND 闪存产品，英特尔有望在今年内制造出业内首批 144 层 NAND 闪存产品。

三星电子通过增加投资来应对挑战。例如，自 2017 年以来，该公司已在其位于中国西安的第二座工厂投资了 70 亿美元，并计划增加 80 亿美元的投资，一旦完成投资，该工厂每月 NAND 闪存产量（生产 90 层以上的 3D NAND 闪存芯片）将至少达到 130,000 个。SK 海力士还计划通过增加投资来“阻止”中国公司。在过去三年中，该公司在该行业的年均投资超过 13 万亿韩元。

实际上，中国政府的 1 万亿元投资不足以取代三星电子和 SK 海力士。从 2017 年到 2019 年，韩国公司在该行业的投资分别为 7.3 万亿韩元和 4 万亿韩元。同时，中国政府的投资约为 10 万亿韩元，为期 10 年。换句话说，中国半导体公司需要更多的财务资源。

这就是为什么有些“专家”指出，中国公司将通过到处挖掘专业人才、税收优惠等措施实现快速跟进策略，而中国政府将继续支持这些公司，直到它们实现规模量产并占据相当的市场份额，例如，尽管相关芯片精度较低，但中国 PC 制造商仍使用这些公司的 DRAM 和 NAND 闪存芯片。