蔚山国立科学技术学院教授李俊熙 

据韩国先驱报（The Korea Herald）报道，韩国技术信息部当地时间周四宣布该国的一个研究小组发现了一种将存储芯片的存储容量提高1000倍的方法，同时提高了利用0.5纳米工艺技术的可能性。

蔚山国立科学技术学院（Ulsan National Institute of Science and Technology，UNIST）能源与化学工程教授李准熙及其团队已将这一发现发表在国际学术期刊《科学》上，并引起了同行及半导体行业的关注。

UNIST团队由三星科学技术基金会资助，该团队的最新发现，将能使芯片制造商利用一种新的物理现象来制造更小的芯片，或者将数据存储容量扩展1000倍。

据报道，李准熙教授带领的UNIST团队的研究发现了一种可以控制半导体材料中的单个原子，并进一步增加微芯片存储量以及突破芯片域尺寸极限的方法。（注：域是指成千上万个原子一起移动以存储二进制数或信号形式的数据的组。由于该领域的特性，很难在保持存储容量的同时将存储芯片的制造工艺技术从当前的10nm级进一步缩小。）

UNIST团队发现，通过将一滴电荷加到一种名为铁电氧化ha（ferroelectric hafnium oxide，或HfO2）的半导体材料中，就可以控制四个单独的原子来存储1位数据（1 bit of data）。这就意味着，如果合理，可以实现一个闪存模组中每平方厘米可以存储500 TB的数据量，师当前闪存芯片的1,000倍。