近日有消息传出，美光科技正在解散上海研发中心旗下的DRAM设计部门，将从150人中挑选40多位核心研发人员提供移民美国的资格，预计最快在今年内完成。

　　据了解，有多位美光前员工与在职员工证实，美光此次并非解散整个上海研发中心，而是仅仅解散了DRAM设计部门，该部门总人数超过100人。除了该团队，美光上海研发中心还包括销售、测试等多个部门。

　　美光员工指出，公司提供技术移民美国资格的消息属实，部分核心员工将可以携带家属一同移民至美国，目前仍无法确定有多少员工会选择移民。

　　一位前美光员工则透露，美光的DRAM设计团队先前已有一大批人员，被挖角到大陆本土IC设计公司和储存大厂。

　　据了解，美光位于上海的研发中心专注从事的研发活动几乎涉及美光全部产品，从 DRAM 和 NAND 芯片设计，到托管型 NAND 系统产品设计和开发，再到 SSD 固件开发测试。另外，美光目前在西安的工厂也不会发生其他异动，该厂主要开展集成电路装配与测试以及DRAM模块制造。

　　美光注重知识产权保护，防止技术外流

　　某半导体行业高管评论认为，美光解散DRAM设计团队，很有可能是出于防止技术外流的考虑，虽然目前中国大陆境内的DRAM企业数量相对较少，但未来几年内或有可能涌现出新的几家DRAM制造商，而且现有的DRAM企业也正求才若渴，美光此举或是想将产品的设计和研发收拢至中国大陆以外地区。

　　市场调研公司Counterpoint报告显示，三星以41.5%的市占率位居市场首位，SK海力士市占率29.3%排第二，美光则为23.4%居第三，前三大厂合计占DRAM市场94.2%。

　　先前美光就曾因商业机密泄露将联电告上法庭。不过在2021年11月26日，美光与联电共同宣布达成全球和解协议，将各自撤回向对方提出的诉讼，联电将向美光一次支付金额保密的和解金，双方在声明中均表示，期待未来达成共同的商业合作机会。

　　美光在该知识产权诉讼结束时就曾强调，知识产权保护是美光赖以保持竞争力重要基石。

　　美光起诉联电和福建晋华事件缘由：

　　2016 年5 月，联电与福建晋华签署了合作协议，共同开发两代动态随机存取记忆体(DRAM)制程。协议中所开发的DRAM工艺并非最新技术，而是与2012 年已用于量产技术相似的旧技术。

　　有3 位参与DRAM 合作案的中国台湾美光前员工，违反与联电签订的雇佣合约与声明书，携带前公司信息进入联电并于工作中参考，又将机密资料转移给晋华。因此美光在中国台湾起诉联电，同年又在美国对联电、晋华提起诉讼，随后美国司法部开始调查。

　　2020年10月28 日，联电对窃取美光的商业机密一案认罪，遭美国司法部处以6,000万美元罚金。

　　联电当时指出，在与美国司法部的和解协议中，美国司法部同意撤销对联电原来包括共谋实施经济间谍活动、共谋窃取多项美光营业秘密和专利有关等指控。联电承认侵害一项营业秘密，同意支付美国政府6,000万美元的罚金，并在3 年自主管理的缓刑期间内与美国司法部合作。

　　2021年11月，联电和美光宣布达成全球和解协议，双方将各自撤回向对方提出的诉讼，同时联电将向美光一次支付金额保密的和解金，双方将共创商业合作机会。

　　美光回应：团队重组预计将于2022年12月前完成

　　对于上述解散DRAM设计部门一事，国际电子商情第一时间与美光关联人士取得了联系，确认此次人事调整影响到的部门为美光上海设计中心的DRAM工程团队，并得到一份官方声明。

　　声明指出，DRAM工程团队将撤出美光上海设计中心，但没有提到更多信息，只说相关过渡工作预计将于2022年12月前完成。上海设计中心其他团队成员将不受此次重组影响。

　　与此同时，美光表示，将继续发展其业务组织，针对关键的市场领域创建多个卓越中心，并将在全球范围内的其他卓越中心继续致力于DRAM技术的创新。

　　声明强调，上海设计中心是美光全球业务战略的一个重要组成部分，目前它依然是美光最大的设计中心之一。因此，美光仍将致力于上海设计中心的发展，继续在上海运营前沿固态硬盘(SSD)产品设计卓越中心。

　　本文参考自经济日报、快科技、国际电子商情等