12 月 15 日消息，据电科装备发布，电科装备 48 所第三代半导体装备研发取得重大突破，牵头申报的“大尺寸超高真空分子束外延技术与装备”项目，获得国家科技部“高性能制造技术与重大装备”重点专项立项。

分子束外延（MBE）装备是先进材料与芯片制造的核心“母机”。48 所立足国家所需、行业所趋、电科所能，聚焦离子束、分子束、电子束“三束”技术，不断推动半导体装备核心技术研发与产业化，相继开发了单片 4 英寸、6 英寸机型并实现应用，为研制大尺寸 MBE 装备打下了坚实技术基础。

该项目将由 48 所联合国内高校、研究所及专业公司协同攻关，利用 48 所的技术优势，充分发挥国家第三代半导体技术创新中心（湖南）平台作用，奋力突破一批关键核心技术与工艺难题，为实现我国 MBE 技术和装备的跨越式发展提供有力支撑。

此外由电科装备 2 所牵头申报的“超薄界面异质异构晶圆键合关键技术与装备”项目，获得国家科技部“高性能制造技术与重大装备”重点专项立项。

该项目针对通信、新能源等领域对新一代半导体器件迫切需求，由 2 所作为牵头单位，联合多所国内高校、研究所及专业公司协同攻关，以国家第三代半导体技术创新中心为纽带，按照“键合机理研究、核心零部件研制、整机研发及器件应用”四位一体研发思路推进实施，将有效降低键合界面热阻，提高互连键合精度，解决技术瓶颈，提升器件性能。

“超薄界面异质异构晶圆键合关键技术与装备”项目是 2 所在打造“国之重器 —— 晶圆键合设备”的基础上，在制约核心科技能力提升基础问题上奋勇攻关的又一重要节点，项目将为我国半导体装备领域的快速发展提供有力支撑。