导读：9月1日，三星宣布采用12纳米(nm)级工艺技术，开发出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM。在相同封装尺寸下，容量是16Gb内存模组的两倍，功耗降低10%，且无需硅通孔(TSV)工艺即可生产128GB内存模组。此次新品为实现高达1TB容量的内存模组奠定了基础。全新12纳米级32Gb DDR5 DRAM计划于今年年底开始量产。（全球TMT）
9月1日，三星宣布采用12纳米(nm)级工艺技术，开发出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM。在相同封装尺寸下，容量是16Gb内存模组的两倍，功耗降低10%，且无需硅通孔(TSV)工艺即可生产128GB内存模组。此次新品为实现高达1TB容量的内存模组奠定了基础。全新12纳米级32Gb DDR5 DRAM计划于今年年底开始量产。（全球TMT）
