根据有关报道，美国政府正在考虑进一步限制中国获取用于人工智能（AI）的尖端芯片技术。据悉，美国此次锁定的目标是一种新型硬件技术——全环绕栅极（GAA）技术，该技术能够显著提升半导体的性能。

　　目前，包括英伟达、英特尔、AMD等芯片制造商及其合作伙伴台积电、三星电子都计划于明年开始大规模生产采用GAA技术的半导体。

　　报道指出，尽管具体措施和时间表尚未确定，但美国的目标是使中国难以组装构建和操作AI模型所需的复杂计算系统，封锁技术商业化前的发展阶段。不过，这些措施不会完全禁止出口GAA芯片，而是将重点放在制造这些芯片所需的技术上。

　　全环绕栅极（GAA）技术

　　近年来，随着物联网、人工智能、智能驾驶、机器人等新兴领域的蓬勃发展，为半导体行业带来了新的机遇。在数字化加速转型及信息科技竞争加剧的背景下，半导体技术也变得更加精密和复杂，相关技术随之得以快速发展。

　　在过去的这些年里，鳍式场效应晶体管（FinFET）架构遵循着摩尔定律随之发展。然而随着器件尺寸的不断缩小，FinFET架构正在接近其性能极限，难以满足晶体管所需的静电控制，其漏电现象随着尺寸的缩小而急剧恶化。于是，全环绕栅极（GAA）技术应运而生，其作为FinFET的“接班人”，被业界广泛视为下一代半导体技术的关键。

　　全环绕栅极（GAA）技术是一种先进的晶体管结构，它通过将栅极完全包围在沟道周围，实现对电流的高效控制，从而提高芯片的性能和能效比。与传统的FinFET技术相比，GAA技术可以提供更高的性能、更低的功耗以及更小的芯片尺寸。

　　据了解，三星电子是最早宣布开始生产基于3nmGAA工艺节点芯片的公司。三星的3nm GAA技术采用了更宽通的纳米片，与采用窄通道纳米线的GAA技术相比能提供更高的性能和能耗比。

　　与三星5nm工艺相比，第一代3nm工艺可以使功耗降低45%，性能提升23%，芯片面积减少16%；而第二代3nm工艺则预计使功耗降低50%，性能提升30%，芯片面积减少35%。

　　GAA技术对人工智能领域的影响

　　当下，随着科技的飞速发展，以大模型为代表的人工智能技术已成为全球科技领域的热点和焦点。而在人工智能的快速发展进程中，硬件的进步始终是推动算法和应用走向实用化的核心动力之一。

　　在这一进程中，GAA技术作为一种新型的晶体管技术，正逐渐在半导体行业中崭露头角，并对AI领域的应用有着深远的影响，其主要体现在以下几个方面：

• 提升AI芯片的计算性能

　　随着AI技术的高速发展，对高性能的计算需求日益增长，尤其是随着AI大模型的日益复杂化，对高性能的计算能力要求更高。而GAA技术通过优化晶体管结构，提高了晶体管的开关速度和性能，使得AI芯片在处理复杂任务时能够更快地完成计算，从而显著提升了AI芯片的运算速度和能效比。

• 降低AI系统的成本

　　能耗一直是限制AI发展的一个重要因素，尤其是在数据中心等大规模的运算场合，对低能耗的计算需求不断增长。借助GAA技术的低功耗优势，使得AI芯片能够在更短的时间内完成更多的运算任务。这也意味着在相同的性能要求下，采用GAA技术的AI芯片可以使用更少的核心和更低的功耗，从而降低整个AI系统的成本。

• 加速AI技术的普及与发展

　　随着GAA技术的应用，不仅为AI领域提供了更强大的计算能力，也使得更高性能的AI模型能够在更低的功耗下运行。这将加速AI技术在各个领域更加广泛的应用和普及，推动AI技术的快速发展。

　　基于提高计算效率、降低能耗、推动技术普及等优势，GAA技术已成为人工智能领域的关键技术之一，当前在5G连接、医疗技术和自动驾驶等AI领域的应用中，GAA技术均为其带来了性能的显著提升。

　　展望未来，随着技术的不断成熟和应用领域的扩展，GAA技术有望在未来几年内对AI领域产生深远的影响，开启智能计算的新纪元。

　　GAA技术相关概念股

　　目前，我国全环绕栅极（GAA）技术相关概念股有：柏诚股份、朗科科技、微导纳米、概伦电子、新莱应材、拓荆科技等。