以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体具有耐高温、高功率以及抗辐射等特性。可广泛应用在高压、高频、高温以及高可靠性等领域。现如今伴随新能源多应用市场的蓬勃发展，以氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)为代表的宽禁带半导体已成为绿色能源产业发展的重要推动力，帮助实现更高的功效、更小的尺寸、更轻的重量、以及更低的总成本。

作为全球功率系统和物联网领域的半导体领导者，英飞凌在第三代半导体如碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）领域持续布局，通过技术创新、产能扩张及市场应用拓展，为光储、智能家居、新能源汽车等低碳化趋势下的关键行业提供了高性能的功率半导体解决方案，推动了行业的绿色转型和可持续发展。

在9日上午的主论坛开场致辞中，英飞凌科技全球高级副总裁及大中华区总裁、英飞凌科技消费、计算与通讯业务大中华区负责人潘大伟表示：“半导体解决方案是实现气候目标的关键，宽禁带半导体能显著提升能源效率，推动实现低碳转型。在当前绿色低碳化的大背景下，以碳化硅和氮化镓为代表的宽禁带半导体作为新材料和新技术已开始广泛应用于新能源、电动汽车、储能、快充等多个领域。作为行业领导者，英飞凌凭借持续的技术革新与市场布局，在宽禁带半导体领域发挥着引领作用，致力于满足经济社会发展对于更高能效、更环保的半导体产品的需求。”

在《宽禁带创新技术加速低碳化和数字化》主题演讲中，英飞凌科技副总裁、英飞凌科技消费、计算与通讯业务大中华区市场营销负责人刘伟和英飞凌科技副总裁、英飞凌科技工业与基础设施业务大中华区市场营销负责人沈璐分别从市场角度阐述了英飞凌在氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)宽禁带半导体领域的领先优势。基于在SiC领域的丰厚积累，英飞凌拥有40多年对SiC工艺制程、封装和失效机理的理解，全球最大的8英寸碳化硅功率晶圆厂以及业界最广泛的SiC产品组合、应用市场、客户群覆盖。尤其是推出的新一代CoolSiC^TM MOSFET Gen2技术，与上一代产品相比，将MOSFET的主要性能指标（如能量和电荷储量）提高了20%，显著提升整体能效。在GaN方面，自去年10月完成收购氮化镓系统公司（GaN Systems），目前英飞凌的氮化镓产品组合包括高压和中压的BDS、感测、驱动和控制系列，可广泛应用于AI服务器、车载充电器（OBC）、光伏、电机控制、充电器和适配器等。如在AI服务器领域，基于AI系统对更高功率的需求，进一步增加了半导体的使用量。

在技术市场方面，英飞凌科技副总裁、英飞凌科技消费、计算与通讯业务大中华区技术市场负责人陈志豪和英飞凌科技高级技术总监、英飞凌科技工业与基础设施业务大中华区技术市场负责人陈立烽则从技术应用的角度介绍了英飞凌宽禁带产品如何助力能源效率提升。如Si 、SiC 和GaN三种半导体材料器件的技术特性对比，指出虽然硅超级结在低开关频率中占优，但SiC和GaN终将主导新型拓扑结构和高频应用；结合CoolSiC™和CoolGaN™的技术特性及优势，分别在不同领域的典型应用案例，如在公共电源转换（PCS）系统中采用SiC模块，可实现>99%的效率，CoolGaN™双向开关在微型逆变器中的应用等。

在本次展会中英飞凌不仅通过“2024英飞凌宽禁带论坛”向与会者分享了第三代半导体新材料、新应用的最新发展成果，还在展区部分展示了最新的半导体功率器件以及解决方案。

在绿色能源与工业展区中，英飞凌重点展出的亮点产品和解决方案包括用于光伏发电的四路2000V 60A MPPT EasyPACK™ CoolSiC™ MOSFET 3B碳化硅模块等展品，该模块可以在简化系统设计的同时，提高功率密度、降低总体成本。

在智能家居展区中，英飞凌的 “火箭飞船着陆器” 以有趣的互动游戏，向观众展示了使用英飞凌PSOC™ Edge MCU的高性能计算能力。

在电动汽车展区中，英飞凌进行了一系列的技术演示，其中包括使用英飞凌第二代HybridPACK™ Drive碳化硅功率模块的电机控制器系统演示，该系统集成了AURIX™ TC3xx、第二代1200V SiC HybridPACK™ Drive模块、第三代EiceDRIVER^TM驱动芯片1EDI30XX、无磁芯电流传感器等，让现场观众身临其境地体验并深入了解英飞凌产品的卓越功能、创新特性，及其在缓解电动汽车里程焦虑应用中所展现的独特价值。

现如今，英飞凌作为全球功率系统和物联网领域的半导体领导者，基于自身在半导体领域扎实的技术积累和布局，以及广泛的市场支撑能力，持续为行业发展注入绿色动能，加速行业低碳化和数字化的发展。相信在不远的未来，我们能够拥抱更加便利、安全和环保的世界，让我们一起拭目以待。