近日，一场科技大会暨百家媒体论坛——由E维智库主办的第12届中国硬科技产业链创新趋势峰会暨百家媒体论坛特邀来自国内外大厂（艾迈斯欧司朗、Qorvo、富士通半导体、飞凌微、安谋科技、清纯半导体）深耕一线的专家们，齐聚深圳湾畔，共同探讨一线产业动态和技术趋势，探究行业未来发展的深层逻辑。

LED，智能驾驶中的光与智

论坛上，艾迈斯欧司朗高级市场经理罗理带来了题为《LED，智能驾驶中的光与智》的精彩演讲。

汽车LED的广泛应用已标志着光源从传统向LED的转变，而数字化、智能化、节能减排和新能源等大趋势正推动汽车行业经历重大变革，汽车照明和灯具技术也随之不断革新。

罗理先生强调，在成本控制之外，创新同样至关重要，且往往是成本优化的关键所在。他们更关注于如何激发设计师的创意，如何在造型上实现更多创新设计，如何提升工程师架构设计的灵活性，以及如何为消费市场提供更多选择，赋予产品更多的情感价值或交互功能。这些成为了当前产品创新的核心思考点。

随着AI时代的到来，汽车已逐渐演变为移动大脑，不再仅仅是沙发加四个轮子的简单组合，而是融入了更多智能化功能和设施。在此背景下，作为光源厂家，艾迈斯欧司朗也在积极探索如何与AI时代相衔接。LED作为智能的眼睛，成为AI大脑与终端用户之间交互的重要媒介，在未来市场发展中仍将占据重要地位。

在产品创新方面，艾迈斯欧司朗推出多项创新产品：EVIYOS® 2.0 Micro LED，结合光与电子，实现无眩光远光灯等应用，可拓展至商业、工业照明；OSIRE®E3731i基于OSP架构，解决车内氛围灯混色等问题，丰富信息显示与交互；SYNIOS® P1515 LED芯片简化结构、降低成本，用于汽车内饰背光。这些产品推动汽车照明技术进步，通过OSP架构简化传统架构，支持整车智能连接与OTA升级。

从突破射频到UWB和应用于下一代移动设备的传感器

Qorvo是一家全球领先的连接和电源解决方案供应商，全球5800名员工，FY24业绩38亿美元。

其中国高级销售总监江雄在论坛上提到，手机作为最先进的技术载体，与每个人的日常生活息息相关。Qorvo的射频集成方案，从早期的Phase 2发展到现在的Phase 8，已经实现了显著的进步。新一代的集成方案在面积上有了50%以上的提升，节省了射频前端的尺寸，同时提高了电流功率，为手机提供了更多的电池空间。

江先生指出，滤波器在国内这两年是非常卷的市场，滤波器也是有很多技术要进行突破的，包括晶圆级的滤波器。Qorvo的滤波器技术已经演进到第七代，在尺寸、插入损耗和带外抑制方面均表现出色。

Qorvo在Wi-Fi技术上紧跟时代，已准备好迎接Wi-Fi 7的到来，今年秋天MTK和高通等平台将采用该技术提升下行速率。同时，Qorvo在UWB技术上取得显著进展，广泛应用于室内导航、汽车钥匙等领域，并展望在手机上拓展更多应用。

“压力传感器，在应用上因为它有比较好的特点，如尺寸超小，功耗超低、灵敏度高等，加上达到了AECQ100的标准，因为有这样的表现，我们在汽车上是被广泛使用的”江先生表示。Qorvo的Force Sensor技术已应用于iPhone 16拍照功能及智能穿戴、笔记本、汽车等领域。在功率器件方面，Qorvo通过收购加强SiC研发和电机控制及电源管理应用，广泛应用于AI服务器等领域。

全新一代FeRAM，高可靠性和无迟延应用首选

RAMXEED（原富士通半导体）总经理冯逸新为论坛分享的主题是《全新一代FeRAM，高可靠性和无迟延应用首选》。

据冯先生介绍，富士通自1956年便开始研发半导体，并在80年代成为顶级的半导体公司。FeRAM的研发始于上世纪90年代，1996年，Ramtron公司首先将FeRAM推向市场，而富士通则为Ramtron提供晶圆代工服务。经过二十多年的深耕，富士通已向市场交付了44亿片FeRAM产品。目前，FeRAM的主要供应商除富士通外，还有Infineon，后者通过收购CYPRESS和Ramtron，获得了FeRAM的相关技术和市场。

在Memory市场中，NOR Flash、NAND Flash和DRAM占据了98%的份额，而包括FeRAM在内的利基市场则占据了剩余的2%。尽管市场份额不大，但FeRAM在特定领域具有绝对优势，并且可以替换EEPROM、SARM、MRAM等存储器。

FeRAM的市场应用广泛，涵盖了汽车电子、工业控制、表计、医疗设备等众多领域。特别是在汽车电子领域，FeRAM在新能源汽车管理系统、TBOX、行车记录仪等产品中得到了广泛应用。此外，在智能电网、工厂自动化、医疗应用、Gaming、云计算、楼宇自动化、通讯以及标签和智能卡等领域，FeRAM也展现出了其独特的优势。

冯先生还提到了ReRAM，这是一种近年来备受关注的存储器技术。虽然目前ReRAM的量产容量最大仅为12Mbit，但富士通半导体（现RAMXEED）是少数实现ReRAM量产的半导体供应商之一。ReRAM可以看作是EEPROM的加强版，具有容量更大、DIE尺寸更小、读出功耗更低等特点，非常适合于医疗设备等应用。

在谈到FeRAM和ReRAM的市场定位时，冯先生表示，这两个产品都具有低功耗、高速读写和长寿命等特点，因此在一些需要频繁读写、低功耗和长期运行的设备中得到了广泛应用。同时，富士通还在积极开发新的应用领域，如可穿戴设备等。

 新一代端侧SoC与感知融合方案，助力车载智能视觉升级

飞凌微首席执行官兼思特威副总裁邵科为论坛分享的主题是《新一代端侧 SoC 与感知融合方案，助力车载智能视觉升级》。邵先生首先概述了近十年来视觉成像及处理和神经网络技术的快速发展。视觉成像及处理技术在安防监控、手机、家用IPC、门铃以及消费类机器视觉（如扫地机、人脸支付）等领域的应用日益广泛。同时，AI算法的快速发展也推动了视觉与AI应用场景在各行各业的深入融合。

他指出，端侧AI处理具有显著优势。相较于云端处理，端侧处理能够降低数据传输延时，增强可靠性，并在数据安全与隐私保护方面提供更强保障。特别是在车载舱内视觉应用等特定场景中，端侧处理能够有效防止原始图像信息泄露，同时具备更低成本和更低时效性。

在端侧应用场景方面，智能车载、智能家居、物联网、机器视觉等领域均展现出巨大潜力。以智能汽车为例，视觉传感器在360度环视、ADAS辅助系统以及舱内监控等方面发挥着重要作用。随着应用落地越来越多，对摄像头的规格和处理性能也提出了更高要求。

基于市场需求及应用方案的深入思考，飞凌微在今年推出了M1系列三款产品，分别是用于车载的高性能ISP和两颗用于车载端侧视觉感知预处理的轻量级SoC。这三款芯片在业内拥有最小的BGA 7mm*7mm封装，有助于模组更加小巧，便于在车载领域应用落地。

M1系列中的高性能ISP能够接收800万像素的图像数据或两颗300万像素的图像数据，在车载ADAS、影像类产品以及后视镜等方面均有良好应用。ISP技术结合了高动态范围和优秀的暗光性能，能够很好应对白天阳光照射和晚上车灯照射等复杂光环境。同时，M1系列中的轻量级SoC还加入了CPU、NPU算力，具备人脸识别、姿态识别等轻量级AI应用能力。

端侧AI应用“芯”机遇，NPU加速终端算力升级

论坛上，安谋科技产品总监 鲍敏祺深入探讨了端侧AI的新机遇、挑战以及未来发展趋势。鲍先生指出，随着AIGC大模型的兴起，端侧AI算力得到了显著提升，为各类创新应用提供了有力支撑。

他首先展示了Apple Intelligence等应用案例，揭示了端侧AI在图片理解、信息总结和智能提示等方面的广泛应用。例如，通过手机拍照识别物体、快速总结长内容短信以及智能筛选图片库中的关键信息等，这些功能不仅提升了用户体验，也逐步得到了公众的认可。

在硬件方面，鲍先生提到了高通骁龙X Elite等芯片对AI算力的持续投入，以及OPPO、VIVO、小米等头部终端厂商在AI解决方案上的积极探索。他强调，端侧AI的优势在于时效性和数据本地的安全性，而云端则拥有更强的理解力和迭代能力。未来，端侧产品将更加注重个性化体验，通过针对性训练满足每个用户的独特需求。

然而，端侧AI的发展也面临着诸多挑战。鲍先生指出，尽管算力在不断提升，但端侧模型的规模仍然受到memory带宽等硬件条件的限制。目前，1-3B是普遍能够在当前带宽下部署的端侧大模型规模，而7B则处于临界状态。此外，多模态场景的应用也对硬件提出了更高要求，需要更高效的数据处理和传输方式。

针对这些挑战，鲍先生以安谋科技自研的“周易”NPU为例，介绍了其在优化算力、提升效率方面的创新实践。通过保留CNN能力并增强transformer大模型算力、实现数据本地化减少搬运、采用低精度量化和压缩等技术手段，“周易”NPU在提升能效比方面取得了显著成效。同时，下一代“周易”NPU还将采用多核可扩展性架构和异构策略，以更好地应对多任务和复杂场景的挑战。

最后，鲍先生强调多模态场景对端侧AI发展的重要性，认为AI将随人机交互演进更智能、更懂用户，多模态输入输出是关键，推动端侧AI智能化、个性化。

车载电驱&供电电源用SiC技术最新发展趋势

清纯半导体(宁波)有限公司市场经理 詹旭标围绕四大主题，为我们揭示了SiC上车的行业发展、产业及技术现状、国内技术进展及未来趋势。

演讲一开始，詹先生便指出新能源汽车已成为近年来最耀眼的行业之一。数据显示，2023年中国新能源汽车销量达到950万辆，市占率高达31.6%，意味着每卖出10台汽车中就有3台是新能源车型。而2024年的年销量预计将达到1200-1300万辆，市占率或超45%，并占据全球年产销量的60%。这一迅猛发展的态势与当年的光伏行业有异曲同工之处，预示着新能源汽车市场将持续保持高速增长。

关于SiC在新能源汽车中的应用，詹先生提到，自2017年特斯拉发布首款基于SiC主驱的汽车以来，国内以比亚迪为代表的企业也迅速跟进。截至目前，已有142款国产SiC车型公开，其中乘用车达76款。SiC器件在主驱应用中的主流产品为1200V SiC MOSFET，而400V平台则采用750V SiC进行替代。大规模应用SiC的必要条件包括器件性能、质量、价格和产能等方面。

SiC为新能源汽车带来了诸多好处。首先，它提升了新能源汽车的续航里程。得益于SiC MOSFETS的低导通电阻和低开关损耗，电机控制器系统的损耗可降低70%，从而增加5%的行驶里程。其次，SiC还解决了补能焦虑问题。预计2025年，我们将能体验到15分钟补电80%的电能。此外，充电桩行业也异常活跃，市场规模不断扩大，预计到2024年将达到25亿人民币。

关于SiC器件的技术进展及发展趋势，詹先生表示，目前主流SiC MOSFET技术包括平面栅结构和沟槽栅两种设计方案。平面栅结构工艺成熟、可靠性高、出货量最大；而沟槽栅则具有较低的Rsp（比导通电阻），但在高温下的热性能稍逊于平面栅。此外，嘉宾还列举了近年来国际主流SiC厂家的技术迭代路线，并指出国内外技术水平差距正在逐渐缩小。